HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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Führte Infrarot-LED 660nm 800nm Infrarotdiode 1206 IR für Anwendung der medizinischen Ausrüstung

Führte Infrarot-LED 660nm 800nm Infrarotdiode 1206 IR für Anwendung der medizinischen Ausrüstung

    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
  • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application

    Produktdetails:

    Herkunftsort: China
    Markenname: Double Light
    Zertifizierung: ISO9001:2008,Rosh
    Modellnummer: DL-R1206PD

    Zahlung und Versand AGB:

    Min Bestellmenge: 1000 Stk.
    Verpackung Informationen: Maße pro Einheit: 0,28 × 0,2 × 0,13 Meter • Gewicht pro Einheit: 3,5 Kilogramm • Einheiten pro Exp
    Lieferzeit: 5-7 Werktage nach empfingen Ihre Zahlung
    Zahlungsbedingungen: Telegrafische Übertragung im Voraus (Vor-TT, T/T)
    Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 15,000,000pcs pro Tag
    Jetzt kontaktieren
    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    Verlustleistung: 00MW Versorgungsspannung: 3-5V
    Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Emitter-Kollektor-Spannung: 5V
    Stromversorgungsspannung: 0.8-1.5V Ableitungs-Strom: 1.0-1.5ma
    Höchstwellenlänge: 800-1100nm Aufnahme-Abstand: 15 M

     

    Führte Infrarot-LED 660nm 800nm Infrarotdiode 1206 IR für Anwendung der medizinischen Ausrüstung

     

     

    Eigenschaften:

    1. Schnelle Antwortzeit.
    2. Entwurfs-Paket: 3.2x1.6x2.33mm
    3. Hohe Fotoempfindlichkeit.
    4. Kleine Kreuzungskapazitanz.
    5. Paket in 8mm Band auf 7" Durchmesserspule.
    6. Das Produkt selbst bleibt innerhalb konformer Version RoHS.

     

    Beschreibungen:

    1. Das 1206 SMD LED ist ein Hochgeschwindigkeits- und hoher empfindlicher Fototransistor des Silikons NPN in Miniatur-SMD-Paket, das in einem schwarzen Epoxy-Kleber mit flacher Draufsichtlinse geformt wird.
    2. Wegen seines schwarzen Epoxy-Klebers, wird das Gerät Spektral- an sichtbare und infrarotemittierende Diode angepasst.

     

    Anwendungen:

    1. Automatischer Tür-Sensor.
    2. Angewandtes Infrarotsystem.
    3. Zähler und Sortierer.
    4. Kodierer.
    5. Diskettenlaufwerk.
    6. Optoelektronischer Schalter.
    7. Videokamera, Band und Kartenleser.
    8. Stellungsgeber.
    9. Kopierer.
    10. Spielmaschine.
    11. Anwendbar auf alle Arten mechanische Tastaturprodukteinführungsanforderungen
    12. Passend für alle Arten Infrarotübertragen und Empfangsgerät
    13. Infrarotfernsteuerungsübermittler ist für alle Arten elektronische Produkte passend
    14. Anwendbar auf alle Arten kleine Haushaltselektrogerätprodukte für Reflexionsanwendung

     

    Teilnummer. Chip-Material Linsen-Farbe Quellfarbe
    DL-R1206PD-1PD120 Silikon Schwarzes Fototransistor

     

     

     

     

     

     

     

    Absolute Maximalleistungen (Ta=25℃)

    Parameter Symbol Veranschlagen Einheit

    Verlustleistung

    Bei (oder unten) Freifeld 25℃ Lufttemperatur

    PD 100 mW
    Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 30 V
    Emitter-Kollektor-Spannung VECO 5 V
    Kollektorstrom IC 20 MA
    Betriebstemperatur Topr -40 bis +80
    Lagertemperatur Tstg -40 bis +85
    Löttemperatur Tsol 260℃ für 5 Sekunden
     

     

    Elektrische optische Eigenschaften an Ta=25℃

    Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Bedingung
    Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung BV-CEO 30 --- --- V

    IC=100μA,

    Ee=0mW-/cm²

    Emitter-Sammler-Durchbruchsspannung BVECO 5 --- --- V

    D.H. =100μA,

    Ee=0mW-/cm²

    Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung VCER(SAT) --- --- 0,40 V

    IC=2mA,

    Ee=1mW-/cm²

    Kollektordunkelstrom ICEO --- --- 100 Na

    VCE=20V,

    Ee=0mW-/cm²

    Auf Zustands-Kollektorstrom IC(AN) 0,10 0,50 --- MA

    VCE=5V,

    Ee=1mW-/cm²

    Optische Anstiegszeit (10% bis 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    IC=1mA,

    RL=1000Ω

    Optische Abfallzeit (90% bis 10%) TF --- 15 ---
    Aufnahme-Winkel 2θ1/2 --- 30 --- Grad  
    Wellenlänge von Höchstempfindlichkeit λP --- 940 --- Nanometer  
    Schellte von der Spektralbandbreite λ0.5 700 --- 1200 Nanometer  
     

     

     

     

    *1: Impuls Width=100μs, Aufgabe Cycle=1%.

    *2: Für 10 Sekunden.

    *3: Wechselstrom für 1 Minute, R.H.=40%~60%

    Isolierungsspannung wird unter Verwendung der folgenden Methode gemessen.

    (1) kurz zwischen Anode und Kathode auf der Primärseite und zwischen Kollektor und Emitter auf der Sekundärseite.

    (2) wird der Isolierungsspannungsprüfer mit Nullkreuzstromkreis benutzt.

    (3) ist die Wellenform der angewandten Spannung eine Sinuswelle.

     

    Elektrische optische Eigenschaften (Ta=25℃)

     

    Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
    Input Vorwärtsspannung VF --- 1,20 1,50 V IF=20mA
    Rückstrom IR --- --- 10 µA VR=4V
    Terminalkapazitanz Ct --- 30 250 PF V=0V, f=1KHz
    Ertrag Kollektordunkelstrom ICEO --- --- 100 Na

    Vce=20V,

    IF=0 MA

    Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung VCEO 35 --- --- V

    IC=0.1mA,

    IF=0mA

    Emitter – Kollektor

    Durchbruchsspannung

    VECO 6 --- --- V

    D.H. =10uA,

    IF=0mA

    Übergangseigenschaften Kollektorstrom IC 2,50 --- 30 MA

    VCE=5V,

    IF=5mA

    Gegenwärtiger Übertragungsfaktor * CTR 50 --- 600 %
    Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung VCER(gesessen) --- 0,10 0,20 V

    IF=20mA

    Ic=1mA

    Isolationswiderstand R-ISO 5x1010 5x1011 --- DC 500V 40%~60% R.H.
    Sich hin- und herbewegende Kapazitanz Cf --- 0,6 1 PF V=0V, f=1MHz
    Grenzfrequenz fc --- 80 --- kHz

    VCER =5V

    Ic=2mA

    RL=100-

    -3dB

    Anstiegszeit

    (10% bis 90%)

    TR --- 4 18 μs

    VCE=2V,

    IC=2mA,

    RL=100Ω

    Abfallzeit

    (90% bis 10%)

    TF --- 3 18
     

     

    * × 100% CRT=IC/IF.

    Widerliche Tabelle des gegenwärtigen Übertragungsfaktors (CTR)

     

    Widerliches Kennzeichen Min. (%) Maximum (%)
    L 50 100
    A 80 160
    B 130 260
    C 200 400
    D 300 600
    L oder A oder B oder C oder D 50 600

     

    Anmerkungen:

    1. Der Strahl, der Oberfläche an einem Gipfel und Beziehung zur Strahlnachse im Bereich im Bereich θ=0° und von θ=45° empfängt.

    2. Eine Strecke von 30cm zum Ankunftsabstand. Durchschnittswert von 50 Impulsen

     Paket-Maß:

    Kontaktdaten
    HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

    Ansprechpartner: Tanky

    Telefon: +8613750005407

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