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Abschneiden sichtbar 940nm infrarotemittierende Diode / ir LED-Diode Opto-Unterbrecher

Bescheinigung
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd zertifizierungen
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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—— V.P. Vasilyev

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—— Berk von US

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—— Harper Steve von der Türkei

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Abschneiden sichtbar 940nm infrarotemittierende Diode / ir LED-Diode Opto-Unterbrecher

Cut - off visible 940nm Infrared Emitting Diode / ir led diode Opto Interrupter
Cut - off visible 940nm Infrared Emitting Diode / ir led diode Opto Interrupter Cut - off visible 940nm Infrared Emitting Diode / ir led diode Opto Interrupter

Großes Bild :  Abschneiden sichtbar 940nm infrarotemittierende Diode / ir LED-Diode Opto-Unterbrecher

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Double Light
Zertifizierung: ISO9001:2008,Rosh
Modellnummer: DL-PC817IR

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1000 Stk.
Verpackung Informationen: Maße pro Einheit: 0,28 × 0,2 × 0,13 Meter • Gewicht pro Einheit: 3,5 Kilogramm • Einheiten pro Exp
Lieferzeit: 5-7 Werktage nach empfingen Ihre Zahlung
Zahlungsbedingungen: Telegrafische Übertragung im Voraus (Vor-TT, T/T)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 15,000,000pcs pro Tag
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Typ: Infrarot-LED, die Dioden ausstrahlt Max. Sperrspannung: 5V
Lichtfarbe: Infrarot Farbtemperatur: 940NM
geführte Chips: Epistar führte Dioden Vorwärtsspannung: 1.0-1.4V
Markieren:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Führte sichtbare Wellenlänge 940nm der Opto Unterbrecher-Abkürzung infrarotemittierende Diode/ir Diode
 
Opto Unterbrecher-technisches Leistungsblatt

 

Eigenschaften:

  1. PWB-Montageart Paket.
  2. Hohe Abfragungsgenauigkeit.
  3. Breiter Abstand zwischen hellem Emitter und Detektor (5.00mm).
  4. Sichtbare Wellenlänge λP=940nm der Abkürzung.
  5. Das Produkt selbst bleibt innerhalb konformer Version RoHS.


Beschreibungen:

  1. Das ITR817 (Schlitz-LWL-Schalter) ist eine infrarotemittierende Diode des Galliumarsenids, die mit einem Silikonfototransistor in einer Plastikwohnung verbunden wird.
  2. Das Verpackungssystem ist entworfen, um die mechanische Entschließung, Kopplungsleistungsfähigkeit zu optimieren und Umgebungslicht isoliert.
  3. Der Schlitz in der Wohnung a versieht Durchschnitte der Unterbrechung des Signals mit Drucker, Scanner, Kopierer oder anderem undurchsichtigem Material und schaltet den Ertrag von "ON" zu "OFF"-Zustand.


Anwendungen:

  1. Kopierer.
  2. Drucker.
  3. Faksimile.
  4. Kartenautomat.
  5. Optoelektronischer Schalter.
  6. Schalten Sie Scanner.
  7. Berührungsfreie Schaltung.
Teilnummer. Material Farbe Quellfarbe
DL-ITR9606 Chip GaAlAs --- Infrarot
Silikon --- Infrarotempfänger
Führungs-Rahmen SPCC Silberweiß ---
Draht Gold Golden ---
Mittel Epoxy-Kleber Wasser klar Infrarot
Schwarzes Infrarotempfänger
Halter PPO Schwarzes ---

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Absolute Maximalleistungen an Ta=25℃

Parameter Symbol Bewertungen Einheit
Input Verlustleistung (oder unten) der Lufttemperatur bei des Freifeld-25℃ PD 75 mW
Sperrspannung VR 5 V
Vorwärtsstrom IF 50 MA

Höchstvorwärtsstrom (*1)

Impulsbreite ≦100μs, Aufgabe cycle=1%

IFP 1,00 A
Ertrag Kollektor-Verlustleistung PC 75 mW
Kollektorstrom IC 20 MA
Kollektor-Emitter-Spannung BV-CEO 30 V
Emitter-Kollektor-Spannung BVECO 5 V
Betriebstemperatur Topr 25~+85
Lagertemperatur Tstg 40~+85

Führungs-Löttemperatur (*2)

[2mm (.079 ″) vom Körper]

Tsol 260℃ für 5 Sekunden
 

(*1) tw=100μsec., T=10msec. (*2) t=5Secs.

Elektrische optische Eigenschaften (Ta=25℃)

Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
Input Vorwärtsspannung VF1 --- 1,20 1,50 V IF=20mA
VF2 --- 1,40 1,85 IF=100mA, tp=100μs, tp/T=0.01
VF3 --- 2,60 4,00 IF=1A, tp=100μs, tp/T=0.01
Rückstrom IR --- --- 10 µA VR=5V
Höchstwellenlänge λp --- 940 --- Nanometer IF=20mA
Betrachtungs-Winkel 2θ1/2 --- 60 --- Grad IF=20mA
Ertrag Kollektordunkelstrom ICEO --- --- 100 Na VCE=20V, Ee=0mW-/cm²
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung VCER(SAT) --- --- 0,40 V

IC=2mA,

Ee=1mW-/cm²

Auf Zustands-Kollektorstrom

(*3)

IC(AN) 0,50 --- --- MA

VCE=5V,

IF=20mA

Antwort

Zeit

Anstiegszeit

(10% bis 90%)

TR --- 15 --- μs

VCE=5V,

IC=1mA,

RL=1000Ω

Abfallzeit

(90% bis 10%)

TF --- 15 ---
 

 

Infrarot-LED, die Dioden-Paket-Maß ausstrahlt:

Abschneiden sichtbar 940nm infrarotemittierende Diode / ir LED-Diode Opto-Unterbrecher 0

Kontaktdaten
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Ansprechpartner: Roundy

Telefon: +8615216951191

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