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Epileds Chip Infrarot-emittierende Diode 1w 3w hohe Leistung lichtemittierende Diode 730nm 850nm 940nm

Bescheinigung
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd zertifizierungen
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
Am Vorabend des 70. Jahrestages der Gründung der Volksrepublik China, nehmen Sie bitte unsere aufrichtigsten und wärmsten Glückwünsche an diesem großen Feiertag an. Wir schätzen sehr die guten Erfahrungen von Zusammenarbeit zwischen unseren Firmen und schauen vorwärts zur weiteren gegenseitig nützlichen Entwicklung unserer Partnerschaft.

—— V.P. Vasilyev

wir arbeiten mit doppeltem Licht zu so vielen Malen zusammen, jedes Mal wenn sie uns durch gute Produkte und netten Preis stützen.

—— Berk von US

Mit Rony, arbeite ich brauche nicht, sich zu viel zu sorgen, er kann alles gut vereinbaren zusammen.

—— Harper Steve von der Türkei

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Epileds Chip Infrarot-emittierende Diode 1w 3w hohe Leistung lichtemittierende Diode 730nm 850nm 940nm

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Großes Bild :  Epileds Chip Infrarot-emittierende Diode 1w 3w hohe Leistung lichtemittierende Diode 730nm 850nm 940nm

Produktdetails:

Herkunftsort: China (Festland)
Markenname: Double Light
Zertifizierung: ISO9001:2008,ROHS
Modellnummer: DL-HP20SIRA-1SIR120

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10.000 Stück
Verpackung Informationen: Maße pro Einheit: 0,28 × 0,2 × 0,13 Meter • Gewicht pro Einheit: 3,5 Kilogramm • Einheiten pro Exp
Lieferzeit: 5-7 Werktage nach empfingen Ihre Zahlung
Zahlungsbedingungen: Telegrafische Übertragung im Voraus (Vor-TT, T/T)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 15,000,000pcs pro Tag
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produktname: High-Power Infrarot geführt Durchmesser: LED-Infrarot
Ausgestrahlte Farbe: Infrarot-led Höchstemissions-Wellenlänge: 730nm
Chip-Material: GaAlAs Linsen-Art: Wasser klar
Vorwärtsspannung @20ma: 1.4-1.8V Blickwinkel: 120 Grad
Markieren:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Hohen Leistung der Epileds-Chip-lichtemittierende Diode 730nm 850nm 940nm der infrarotemittierenden Diode 1w 3w

 

Infrarotemittierende Diode der hohen Leistung 

  1.  Eigenschaften:
    1. sehr lange Lebensdauer (bis zu den Stunden 100k).
    2. verfügbar in weißem, grün, blau, rot, Gelb.
    3. Energiesparender als die weißglühenden und meisten Halogenlampen.
    4. Niederspannung DC bearbeitet.
    5. kühler Strahl, sicher zur Note.
    6. Augenblick hell (weniger als 100 ns).
    7. Das Produkt selbst bleibt innerhalb konformer Version RoHS.

     Anwendungen:
    1. Ablesen von Lichtern (Auto, Bus, Flugzeuge).
    2. Portable (Taschenlampe, Fahrrad).
    3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
    4. Schiffspoller/Sicherheit/Garten.
    5. Bucht/Undershelf/Aufgabe.
    6. selbstbewegende hintere Kombinationslampen.
    7. Verkehrssignalisieren/Leuchtfeuer-Schienen-Überfahrt und Straßenrand.
    8. Innen-/Handels- und Wohnarchitektur im Freien.
    9. Edge_lit-Zeichen (Ausgang, Verkaufsstelle).
    10. LCD-Hintergrundbeleuchtung/-Lichtleiter.

 

 

  1. Absolute Maximalleistungen an Ta=25℃
  2. Parameter Symbol Veranschlagen Einheiten
    Vorwärtsstrom WENN 500 MA
    Höchstimpuls-Strom (tp≤100μs, Aufgabe cycle=0.25) Ich pulsiere 700 MA
    Sperrspannung VR 5 V
    LED-Grenzschichttemperatur Tj 125
    Betriebstemperaturbereich Topr -40 bis +80
    Lagertemperaturbereich Tstg -40 bis +100
    Lötende Zeit an 260℃ (Maximum) Tsol 5 Sekunden
     

    Anmerkungen:

  3. Der richtige herabsetzende Strom muss beobachtet werden, um Grenzschichttemperatur unterhalb des Maximums beizubehalten.
  4. LED sind nicht entworfen, in Reserveneigung gefahren zu werden.
  5.  

    Elektrische optische Eigenschaften an Ta=25℃

    Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
    Betrachtungs-Winkel [1] 2θ1/2 --- 120 -- Grad IF=350mA
    Vorwärtsspannung [2] VF 1,6 --- 2,2 V IF=350mA
    Rückstrom IR --- --- 10 µA VR=5V
    Höchstemissions-Wellenlänge λp --- 730 --- Nanometer IF=350mA
    Dominierende Wellenlänge λd ---- 730 ---- Nanometer WENN =350mA
    Spektrum-Strahlungs-Bandbreite Δλ --- 10 --- Nanometer IF=350mA
    Energie-Intensität Pv 160 --- 240 mw IF=350mA
     

    Anmerkungen:

  6. 2θ1/2 ist der aus Achsenwinkel von der Lampenmittellinie, in der die Lichtstärke 1/2 des Höchstwertes ist.
  7. Vorwärtsspannungsmessungstoleranz: ±0.1V
  8.  

     

    Anmerkungen:

    1. Leuchtende Strahlung wird mit einem Lichtsensor und einer Stiftplatte gemessen, die die CIE-Augeantwortkurve approximiert.

    2. θ1/2 ist der Ausachsenwinkel, in dem die Lichtstärke Hälfte axiale Lichtstärke ist.

 

Infrarotemittierendes Dioden-Paket-Maß:

Epileds Chip Infrarot-emittierende Diode 1w 3w hohe Leistung lichtemittierende Diode 730nm 850nm 940nm 0 

 
 

Kontaktdaten
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Ansprechpartner: Roundy

Telefon: +8615216951191

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