HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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1.80mm runde Subminiatur Axial ir LED-Chip Emissions-Wellenlänge 850nm

1.80mm runde Subminiatur Axial ir LED-Chip Emissions-Wellenlänge 850nm

    • 1.80mm Round Subminiature Axial ir led chip Emission Wavelength 850nm
    • 1.80mm Round Subminiature Axial ir led chip Emission Wavelength 850nm
    • 1.80mm Round Subminiature Axial ir led chip Emission Wavelength 850nm
  • 1.80mm Round Subminiature Axial ir led chip Emission Wavelength 850nm

    Produktdetails:

    Herkunftsort: China (Festland)
    Markenname: Double Light
    Zertifizierung: ISO9001:2008,ROHS
    Modellnummer: DL-R18SIRC-1SIR

    Zahlung und Versand AGB:

    Min Bestellmenge: 10.000 Stück
    Verpackung Informationen: Maße pro Einheit: 0,28 × 0,2 × 0,13 Meter • Gewicht pro Einheit: 3,5 Kilogramm • Einheiten pro Exp
    Lieferzeit: 5-7 Werktage nach empfingen Ihre Zahlung
    Zahlungsbedingungen: Telegrafische Übertragung im Voraus (Vor-TT, T/T)
    Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 15,000,000pcs pro Tag
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    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    Produktname: Infrarotled Durchmesser: LED-Infrarot-Chip
    Ausgestrahlte Farbe: Infrarot-led Höchstemissions-Wellenlänge: 850nm
    Chip-Material: GaAlAs Linsen-Art: Wasser klar
    Vorwärtsspannung @20ma: 1.1-1.4V Blickwinkel: 10 Grad

    1.80mm runder Subminiature axialer ir führte Chip Emissions-Wellenlänge 850nm

     

    Subminiature axiale infrarotemittierende Diode 

    1. Paket in 12mm Band auf 7" Durchmesser wirbelt.
      ◇ kleines Doppelendpaket.
      ◇ UVP Std.-Paket.
      ◇ hohe Zuverlässigkeit.
      ◇ niedrige Vorwärtsspannung.
      ◇ kompatibel mit automatischer Platzierungsausrüstung.
      ◇ das Produkt selbst bleibt innerhalb konformer Version RoHS.
      ◇ das Gerät ist eine infrarotemittierende Diode in Miniatur-SMD-Paket, das im Plastik des Wasserfreien raumes geformt wird.
      ◇ das Gerät ist viel kleiner als verbleite Komponenten. Ermöglichen Sie so kleinerer Brettgröße. Höhere Informationsdichte. Verringerte erreicht zu werden Speicherkapazität und schließlich kleinere Ausrüstung.
      ◇ das Gerät wird besonders mit Fotodiode, Fototransistor und Infrarotempfängerbaustein zusammengebracht.
      ◇ PWB angebrachter Infrarot-Sensor.
      ◇ infrarotemittierend für Miniaturlichtschranke.
      ◇ Diskettenlaufwerk.
      ◇ optoelektronischer Schalter.
      ◇ Rauchmelder.

     

     

    1. Absolute Maximalleistungen an Ta=25℃

      Parameter Symbol Maximum. Einheit
      Verlustleistung PD 100 mW

      Höchstvorwärtsstrom

      (Arbeitszyklus 1/10, Breite des Impuls-0.1ms)

      IFP 1,00 A
      Dauergleichstrom WENN 50 MA
      Sperrspannung VR 5 V
      Betriebstemperaturbereich Topr -40℃ zu +80℃
      Lagertemperaturbereich Tstg -40℃ zu +85℃
      Löttemperatur Tsld 260℃ für 5 Sekunden
       

      Elektrische optische Eigenschaften an Ta=25℃

      Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
      Strahlungsstärke (Anmerkung 1) * EE --- 2,70 --- mW/sr IF=20mA
      Betrachtungs-Winkel (Anmerkung 2) * 2θ1/2 --- 25 --- Grad IF=20mA
      Höchstemissions-Wellenlänge λp --- 850 --- Nanometer IF=20mA
      Spektralbandbreite △λ --- 45 --- Nanometer IF=20mA
      Vorwärtsspannung VF --- 1,40 1,90 V IF=20mA
      Rückstrom IR --- --- 10 µA VR=5V
       

       

      Anmerkungen:

      1. Leuchtende Strahlung wird mit einem Lichtsensor und einer Stiftplatte gemessen, die die CIE-Augeantwortkurve approximiert.

      2. θ1/2 ist der Ausachsenwinkel, in dem die Lichtstärke Hälfte axiale Lichtstärke ist.

     

    Infrarotemittierendes Dioden-Paket-Maß:

    1.80mm runde Subminiatur Axial ir LED-Chip Emissions-Wellenlänge 850nm 

     
     

    Größe und Tag:

    IR,

    DER DIODE AUSSTRAHLT

    Kontaktdaten
    HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

    Ansprechpartner: Roundy

    Telefon: +8615216951191

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